氧化錫銻靶材：光電領(lǐng)域的隱形冠軍

在真空鍍膜領(lǐng)域，氧化錫銻靶材憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，成為制備透明導(dǎo)電薄膜的核心材料。
這種陶瓷靶材由氧化錫和氧化銻按特定比例燒結(jié)而成，在可見光區(qū)透光率超過85%，電阻率可低至10^-4Ω·cm量級(jí)，完美平衡了透明性與導(dǎo)電性這對(duì)天然矛盾體。

氧化錫銻薄膜的制備主要采用磁控濺射工藝。
當(dāng)高能粒子轟擊靶材表面時(shí)，錫、銻、氧原子以分子形式濺射到基板上，通過精確控制濺射功率、氣壓和基板溫度等參數(shù)，可制備出厚度僅100-500納米的均勻薄膜。
這種工藝的優(yōu)勢(shì)在于膜層致密性好，與玻璃、PET等基材的附著力強(qiáng)，且可實(shí)現(xiàn)大面積連續(xù)生產(chǎn)。

在實(shí)際應(yīng)用中，氧化錫銻薄膜展現(xiàn)出三大核心優(yōu)勢(shì)：首先，其化學(xué)穩(wěn)定性遠(yuǎn)超ITO材料，在高溫高濕環(huán)境下仍能保持性能穩(wěn)定；其次，原料儲(chǔ)量豐富，成本僅為ITO靶材的1/3；更重要的是，通過調(diào)節(jié)銻摻雜濃度（通常3-10%），可精確調(diào)控薄膜的載流子濃度，滿足不同場(chǎng)景的方阻要求。
目前該材料已廣泛應(yīng)用于建筑節(jié)能玻璃、光伏電池前電極等領(lǐng)域，在柔性顯示領(lǐng)域更是展現(xiàn)出替代ITO的潛力。

值得注意的是，氧化錫銻靶材存在脆性大、熱導(dǎo)率低的物理局限，這要求濺射過程中必須采用水冷背板并控制升溫速率。
隨著射頻濺射技術(shù)的進(jìn)步，新型旋轉(zhuǎn)靶材設(shè)計(jì)使利用率提升至80%以上，有效降低了生產(chǎn)成本。
未來，通過納米摻雜和微結(jié)構(gòu)調(diào)控，這一材料的遷移率還有望突破50cm2/V·s，為下一代柔性電子器件提供更優(yōu)解決方案。